功率半导体 
  • 22
    霍尔效应测量可有效地用于检定几乎所有的半导体生产材料如硅(Si)和锗(Ge)以及大多数的化合物半导体材料包括锗化硅(SiGe)碳化硅(SiC)砷化镓(GaAs)...
    霍尔效应测量可有效地用于检定几乎所有的半导体生产材料如硅(Si)和锗(G...
    霍尔效应测量可有效地用于检定几乎所有的半导体生产材料如硅(Si)和锗(G...
  • 检定宽禁带设备
    表征SiC或GaN晶圆和封装部件级器件的电气性能需要学习新技术,例如使用更高功率的仪器,处理探测和进行低电平测量的挑战,例如在高击穿电压存在下的皮安级泄漏电流
    表征SiC或GaN晶圆和封装部件级器件的电气性能需要学习新技术,例如使用...
    表征SiC或GaN晶圆和封装部件级器件的电气性能需要学习新技术,例如使用...
  • 脉冲111111111
    使用的仪器是一个电源或SMU提供电压,一个任意函数发生器(AFG)输出脉冲,触发MOSFET的栅极,使其打开以启动电流传导,以及一个示波器测量产生的波形
    使用的仪器是一个电源或SMU提供电压,一个任意函数发生器(AFG)输出脉...
    使用的仪器是一个电源或SMU提供电压,一个任意函数发生器(AFG)输出脉...
  • 验证宽禁带设备
    这些问题可以使用泰克的IsoVu隔离探头轻松解决,该探头在GaN和SiC器件的工作要求下不会随频率降低,从而可以进行准确的差分测量
    这些问题可以使用泰克的IsoVu隔离探头轻松解决,该探头在GaN和SiC...
    这些问题可以使用泰克的IsoVu隔离探头轻松解决,该探头在GaN和SiC...