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宽禁带半导体材料研究
宽禁带半导体材料研究
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霍尔效应测量可有效地用于检定几乎所有的半导体生产材料如硅(Si)和锗(Ge)以及大多数的化合物半导体材料包括锗化硅(SiGe)碳化硅(SiC)砷化镓(GaAs)...
霍尔效应测量可有效地用于检定几乎所有的半导体生产材料如硅(Si)和锗(G...
霍尔效应测量可有效地用于检定几乎所有的半导体生产材料如硅(Si)和锗(G...
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检定宽禁带设备
检定宽禁带设备
检定宽禁带设备
表征SiC或GaN晶圆和封装部件级器件的电气性能需要学习新技术，例如使用更高功率的仪器，处理探测和进行低电平测量的挑战，例如在高击穿电压存在下的皮安级泄漏电流
表征SiC或GaN晶圆和封装部件级器件的电气性能需要学习新技术，例如使用...
表征SiC或GaN晶圆和封装部件级器件的电气性能需要学习新技术，例如使用...
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双脉冲测试
双脉冲测试
双脉冲测试
使用的仪器是一个电源或SMU提供电压，一个任意函数发生器(AFG)输出脉冲，触发MOSFET的栅极，使其打开以启动电流传导，以及一个示波器测量产生的波形
使用的仪器是一个电源或SMU提供电压，一个任意函数发生器(AFG)输出脉...
使用的仪器是一个电源或SMU提供电压，一个任意函数发生器(AFG)输出脉...
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验证宽禁带设备
验证宽禁带设备
验证宽禁带设备
这些问题可以使用泰克的IsoVu隔离探头轻松解决，该探头在GaN和SiC器件的工作要求下不会随频率降低，从而可以进行准确的差分测量
这些问题可以使用泰克的IsoVu隔离探头轻松解决，该探头在GaN和SiC...
这些问题可以使用泰克的IsoVu隔离探头轻松解决，该探头在GaN和SiC...
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